TlBr結晶の中性子回折イメージとEBSD像の比較

渡辺 賢一*; 人見 啓太朗*; 野上 光博*; 前田 茂貴; 伊藤 主税; 丹野 敬嗣; 尾鍋 秀明*

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TlBrは高い原子番号・密度、広いバンドギャップを有する化合物半導体で、室温動作可能かつ高い検出効率を有するガンマ線検出器材料として開発が進められている。デバイス作製における歩留まりの向上のために結晶の品質評価手法を確立するため、中性子回折があるが、実施可能な施設がJ-PARC等の大型施設に限られている。電子線回折の一つである電子後方散乱回折(Electron Backscatter Diffraction: EBSD)像は電子顕微鏡で取得可能であるが、結晶表面の情報しか取得できない。今回、TlBr結晶に対し、中性子回折の一つである中性子ブラッグディップイメージングとEBSDにより結晶方位像を取得し、その両者を比較することで、簡便なEBSDによる結晶の品質評価手法への適用可能性を検討した。